IGW40N60H3FKSA1 相关话题

标题：Infineon(IR) IGW40N60H3FKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 Infineon(IR)的IGW40N60H3FKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT，其工作电压为600V，额定电流为80A，最大漏极功率为306W。该器件采用TO247-3封装，适用于各种需要高效率、高功率密度应用的环境。 二、技术特点 IGW40N60H3FKSA1 IGBT的主要技术特点包括高耐压、大电流、高效率、高可靠性以及易于驱动等。其内部结构包括了一个N沟道场效应晶体管