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Infineon(IR) IGW50N60TPXKSA1功率半导体IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3的技术和方案应用介绍
2024-06-20
标题:Infineon(IR) IGW50N60TPXKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IGW50N60TPXKSA1是一种高效且可靠的功率半导体器件,采用TRENCH/FS 600V技术,提供高达80A的电流容量。这种技术使我们能以更小的封装实现更高的性能,在电力转换和电子设备中发挥了关键作用。 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种复合型半导体器件,兼具了晶体管和场效应管的特性。它具有开关速度快、热稳定性高、体积小等优点,因此在电力电子、通信、汽车等领域广泛
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