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Infineon(IR) IGW75N65H5XKSA1功率半导体IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3的技术和方案应用介绍
2024-05-10
标题:Infineon(IR) IGW75N65H5XKSA1功率半导体IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3的技术和应用介绍 Infineon(IR)的IGBT模块IGW75N65H5XKSA1是一款高性能的功率半导体器件,采用TRENCH 650V技术,具有650V/120A的额定值,适用于各种工业和电源应用。 首先,TRENCH技术是Infineon(IR)的一项重要创新,它允许在同一块半导体材料上制造P-type和N-type部分,从而提高了芯片效率和降低了生产成本
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