IGZ75N65H5XKSA1 相关话题

标题：Infineon(IR) IGZ75N65H5XKSA1功率半导体IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IGZ75N65H5XKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT，其技术特点和应用方案值得关注。该器件采用TRENCH 650V技术，具有119A的电流容量，适用于各种高功率应用场合。 首先，TRENCH 650V技术是Infineon(IR)的一大亮点。这种技术通过在硅片上开槽，改变了电流流动的方向，从而提高了电流密度