标题：Infineon(IR) IHW15N120E1XKSA1功率半导体IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247的技术和方案应用介绍 一、引言 随着电力电子技术的不断发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司推出的IHW15N120E1XKSA1功率半导体IGBT，以其独特的NPT/TRENCH结构，1200V的耐压等级以及30A的电流容量，在各种高功率电子设备中具有广泛的应用前景。本文将介绍IHW15N120E1XKSA1的特性