标题：Infineon(IR) IHW30N65R5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IHW30N65R5XKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT，采用TRENCH 650V技术，具有60A的额定电流。这款IGBT在各种应用中表现出色，尤其在电力转换和控制系统中扮演着重要的角色。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型电力电子器件，具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小等优点。它是由BJT和FET的组合体，可以作为电压驱动的开关，具有