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Infineon(IR) IHW40N65R5XKSA1功率半导体IGBT 650V 80A TO247-3的技术和方案应用介绍
2024-06-22
标题:Infineon(IR) IHW40N65R5XKSA1功率半导体IGBT:技术与应用介绍 Infineon(IR)的IHW40N65R5XKSA1是一款高性能的IGBT,其技术规格包括650V的电压平台,80A的额定电流,以及TO247-3的封装形式。这款IGBT以其卓越的性能和紧凑的尺寸,广泛应用于各种工业和电力电子设备中。 首先,我们来探讨一下这款IGBT的技术特点。首先,它具有优异的导通性能,可以提供高效率和快速的开关性能。此外,它的栅极驱动电路采用了抗干扰和保护功能,能够保证系
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