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IKD04N60RATMA1 相关话题

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标题:Infineon品牌IKD04N60RATMA1半导体IGBT TRENCH/FS 600V 8A TO252-3技术详解与方案介绍 一、技术概述 Infineon品牌的IKD04N60RATMA1半导体IGBT,采用TRENCH/FS技术,具有600V 8A的规格,以TO252-3封装形式呈现。这款器件具有高输入阻抗、低导通电阻和快速开关特性,使其在电力转换和调节系统中具有广泛应用。 二、技术特点 1. 极低的导通电阻,有效降低功耗,提高系统效率; 2. 快速开关特性,可在高频应用中表
标题:Infineon(IR) IKD04N60RATMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 Infineon(IR)的IKD04N60RATMA1是一种IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率半导体,专为600V、8A的应用而设计。其采用TRENCH/FS结构,具有高耐压、低导通电阻等特性,是现代电力电子技术的重要组成部分。 二、技术特点 1. 高耐压:IKD04N60RATMA1具有较高的耐压值,适用于需要高电压大电流的场合。 2. 低导通电阻:该器件的导通电阻较低,有助于提高功率转换
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