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Infineon(IR) IKW08T120FKSA1功率半导体IGBT 1200V 16A TO247-3的技术和方案应用介绍
2024-06-24
标题:Infineon(IR) IKW08T120FKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 Infineon(IR)的IKW08T120FKSA1功率半导体IGBT是一种高性能的功率电子器件,适用于各种高电压和大电流应用场景。该器件采用TO-247-3封装,具有1200V的耐压和16A的额定电流,适用于各种工业、电力电子和电动汽车等应用领域。 二、主要技术特点 1. 高压性能:IKW08T120FKSA1具有1200V的耐压,能够承受较大的电压波动,适用于需要高电压输出的设备。
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