标题：Infineon(IR) IKW15N120H3FKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 Infineon(IR)的IKW15N120H3FKSA1功率半导体IGBT是一种重要的电力电子半导体器件，其采用TRENCH/FS技术，具有高耐压、大电流、高频性能好等特点。该器件的工作电压可达1200V，最大电流为30A，适用于各种需要大电流转换和开关的场合。 二、方案应用 1. 工业电源：IKW15N120H3FKSA1 IGBT可广泛应用于工业电源中，如变频器、电机驱动器等。