标题：Infineon(IR) IKW30N65ET7XKSA1功率半导体IKW30N65ET7XKSA1的技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKW30N65ET7XKSA1功率半导体，以其卓越的性能和广泛的应用领域，在当今的电子设备中发挥着至关重要的作用。本文将深入探讨该器件的技术特点和方案应用，以帮助读者更好地理解这一重要的功率半导体器件。 一、技术特点 IKW30N65ET7XKSA1采用先进的功率MOSFET技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其工作电压可达600V，漏极电