标题：Infineon(IR) IKW30N65H5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKW30N65H5XKSA1功率半导体IGBT是一种高效、可靠的功率电子装置，采用TRENCH 650V技术，具有55A的电流容量。这款IGBT模块在TO247-3封装中提供，适用于各种工业、电力电子和可再生能源应用。 首先，IKW30N65H5XKSA1的TRENCH 650V技术具有显著的优势。这种技术采用沟槽式硅外延层，通过优化载流子注入和传输，提高了器件的饱和电压