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Infineon(IR) IKW50N60H3FKSA1功率半导体IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3的技术和方案应用介绍
2024-05-14
标题:Infineon(IR) IKW50N60H3FKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKW50N60H3FKSA1功率半导体IGBT,以其独特的技术和方案应用,为电力转换和控制领域带来了革命性的改变。 IKW50N60H3FKSA1采用TRENCH/FS 600V技术,这是一种创新性的设计,能在保持低导通电阻的同时,实现高耐压和良好的电流能力。这款IGBT模块具有100A的额定电流,适用于
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