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Infineon(IR) IKW75N65EL5XKSA1功率半导体IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3的技术和方案应用介绍
2024-05-19
标题:Infineon(IR) IKW75N65EL5XKSA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IKW75N65EL5XKSA1功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性、低损耗和高耐压特性的产品,适用于各种工业和电源应用。该器件采用650V和75A的规格,具有快速二极管TO247-3封装,提供了出色的热性能和电性能。 首先,IKW75N65EL5XKSA1的快速二极管TO247-3封装是其一大亮点。这种封装形式具有高功率容量和散热性能,特别适合需要大电流和
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