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AIGB30N65F5ATMA1 相关话题

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标题:Infineon(IR) AIGB30N65F5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的AIGB30N65F5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES是一款具有出色性能的电子器件,它采用最新的技术,广泛应用于各种电子设备中。 首先,AIGB30N65F5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES采用了先进的功率MOSFET技术,具有高耐压、大电流和高效率等特点。它的工作原理是通过控制栅极的电压来控制漏
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