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IGB20N60H3ATMA1 相关话题

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标题:Infineon(IR) IGB20N60H3ATMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术的应用领域越来越广泛,对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。Infineon(IR)公司的IGB20N60H3ATMA1功率半导体IGBT,以其卓越的性能和广泛的应用领域,成为了行业内的焦点。 IGB20N60H3ATMA1是一款具有TRENCH/FS结构的600V 40A D2PAK功率半导体器件。其特点在于采用了先进的工艺技术,具有高耐压、大电流、高频性能好、温
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