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Infineon(IR) IGD10N65T6ARMA1功率半导体IGD10N65T6ARMA1的技术和方案应用介绍
2025-01-15
标题:Infineon(IR) IGD10N65T6ARMA1功率半导体IGD10N65T6ARMA1的技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IGD10N65T6ARMA1功率半导体器件,以其卓越的性能和解决方案,在各种应用中发挥着关键作用。 IGD10N65T6ARMA1是一款N-MOS场效应晶体管,其特点是高耐压、大电流和大功率。这款器件采用Infineon(IR)的先进技术制造,具有出色的电气性能和可靠性。它能够在高温和
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