IGP30N65F5XKSA1 相关话题

标题：Infineon(IR) IGP30N65F5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IGP30N65F5XKSA1功率半导体IGBT是一种具有突破性的高效能产品，以其TRENCH 650V 55A TO220-3的封装形式，为各种电源和电子设备提供了强大的支持。 首先，IGP30N65F5XKSA1采用了Infineon(IR)独特的技术，即TRENCH 650V。这种技术将半导体材料置于沟槽中，使其在保持低电阻的同时，具有更高的电流承载能力。这种技术有效