标题：Infineon品牌IGP30N65H5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3技术详解及方案介绍 Infineon的IGP30N65H5XKSA1是一款优秀的TO220-3封装的650V 55A IGBT芯片，具有高效、可靠、耐高温等特性，广泛应用于各种电源、电机控制等领域。 技术特点： 1. 该芯片采用Infineon独家的TRENCH技术，大大提高了其导通效率和反向耐压能力。 2. 650V的耐压使得该芯片在高压环境下仍能保持稳定的性能，从而降低了电
Infineon(IR) IGP30N65H5XKSA1功率
2024-03-16标题：Infineon(IR) IGP30N65H5XKSA1功率半导体IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3技术与应用介绍 Infineon(IR)的IGP30N65H5XKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT，采用TO220-3封装，适用于各种电子设备中。这种IGBT采用TRENCH 650V技术，具有高导通压降和低损耗的特点，特别适合于需要大功率转换和高效能散热的应用场景。 IGP30N65H5XKSA1的最大漏极电流为65A，使得它在许多需要大电流驱动的设备中表现出