欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IOR(国际整流器IR)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IGW75N65H5XKSA1

IGW75N65H5XKSA1 相关话题

TOPIC

标题:Infineon IGW75N65H5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3技术解析与方案介绍 随着科技的不断进步,半导体技术也在飞速发展。今天,我们将为大家介绍一款具有代表性的半导体产品——Infineon IGW75N65H5XKSA1 IGBT。这款产品是一款具有高效率、高可靠性、低损耗等特点的650V 120A TO247-3规格的IGBT。 首先,我们来了解一下IGBT的基本概念和工作原理。IGBT是一种复合型功率半导体器件,具有较高的开关频
标题:Infineon(IR) IGW75N65H5XKSA1功率半导体IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3的技术和应用介绍 Infineon(IR)的IGBT模块IGW75N65H5XKSA1是一款高性能的功率半导体器件,采用TRENCH 650V技术,具有650V/120A的额定值,适用于各种工业和电源应用。 首先,TRENCH技术是Infineon(IR)的一项重要创新,它允许在同一块半导体材料上制造P-type和N-type部分,从而提高了芯片效率和降低了生产成本
  • 共 1 页/2 条记录