标题:Infineon品牌IHW20N135R5XKSA1半导体IGBT 1350V 40A TO247-3的技术与方案介绍 Infineon近期推出的IHW20N135R5XKSA1半导体IGBT,具有1350V、40A的强大性能,TO247-3封装使其在小型化应用中具有显著优势。 技术特点: 1. 高压性能:IHW20N135R5XKSA1的额定电压高达1350V,适用于需要高压大电流的场合。 2. 快速开关特性:该器件具有优秀的开关性能,可在高频应用中表现出色。 3. 热稳定性高:该器件
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