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IHW30N65R5XKSA1 相关话题

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标题:Infineon品牌IHW30N65R5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3技术详解与方案介绍 一、技术特点 Infineon品牌IHW30N65R5XKSA1半导体IGBT是一款适用于工业应用的高性能器件。其采用TRENCH 650V技术,具有高耐压、大电流、低损耗等优点。该器件采用TO247-3封装,具有高可靠性,适用于各种高温、高压、大电流应用场景。 二、方案介绍 1. 电机驱动:IHW30N65R5XKSA1可广泛应用于电机驱动系统中,如电动汽
标题:Infineon(IR) IHW30N65R5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IHW30N65R5XKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT,采用TRENCH 650V技术,具有60A的额定电流。这款IGBT在各种应用中表现出色,尤其在电力转换和控制系统中扮演着重要的角色。 首先,我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型电力电子器件,具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小等优点。它是由BJT和FET的组合体,可以作为电压驱动的开关,具有
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