标题:Infineon品牌IHW40N65R5XKSA1半导体IGBT 650V 80A TO247-3技术与应用方案介绍 一、技术概述 Infineon品牌IHW40N65R5XKSA1半导体IGBT是一款高性能的650V 80A TO247-3封装形式的功率半导体器件。该器件采用先进的生产工艺,具有高耐压、大电流、高效率、低损耗等优点,广泛应用于各类电力电子设备中。 二、主要特点 1. 650V高电压设计,能够承受更高的电压,提高功率转换效率; 2. 80A大电流容量,适合用于大功率开关电
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