标题:Infineon(IR) IKD15N60RBTMA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IKD15N60RBTMA1是一款高性能的N-Channel功率半导体IGBT,其特点是具有高输入电容,低导通电阻和快速开关性能。这款器件在600V和30A的条件下工作,适用于各种需要高效、快速开关的电源系统。 首先,我们来了解一下IKD15N60RBTMA1的特性。它采用先进的沟槽技术,具有极低的导通电阻,这使得它在高负载条件下仍能保持低损耗和高效率。同时,其快速开关
TOPIC