IKP30N65H5XKSA1 相关话题

标题：Infineon(IR) IKP30N65H5XKSA1功率半导体IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKP30N65H5XKSA1是一款优秀的功率半导体IGBT，采用TRENCH 650V 55A TO220-3封装，具有出色的性能和广泛的应用前景。 首先，IKP30N65H5XKSA1的IGBT技术采用了先进的TRENCH工艺，这种工艺通过在硅片上开凿沟壑，大大提高了单位面积的芯片使用率，从而降低了成本，并提高了设备的效率