IKW15N120BH6XKSA1 相关话题

标题：Infineon(IR) IKW15N120BH6XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKW15N120BH6XKSA1是一款具有高电压和大电流特性的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)功率半导体器件。该器件在1200V、15A的条件下工作，具有出色的性能和可靠性。它广泛应用于各种工业和电源应用中，如电机驱动、UPS、太阳能和风能等。 IKW15N120BH6XKSA1 IGBT的主要技术特性包括高输入阻抗、快