标题:Infineon品牌IKW30N65H5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3技术详解与方案介绍 Infineon品牌IKW30N65H5XKSA1半导体IGBT,一款具有TRENCH 650V 55A特性的TO247-3封装器件,在电力电子领域具有广泛的应用前景。该器件采用先进的沟槽技术,具有高饱和电压、低导通电阻和快速开关特性,适用于各种工业电机、变频器、电源和太阳能逆变器等应用场景。 技术特点: 1. 650V TRENCH封装技术,有效降低芯片热
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