IKZ75N65EL5XKSA1 相关话题

标题：Infineon(IR) IKZ75N65EL5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKZ75N65EL5XKSA1功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性和高功率密度特点的器件。该器件采用650V耐压等级，可实现高达100A的电流输出，适用于各种工业和电源应用场景。 首先，IKZ75N65EL5XKSA1采用了先进的沟槽技术，这使得其具有更低的导通电阻和更高的开关速度，从而提高了系统的效率。此外，其四通道模块设计使得它可以应用于更大功率的电源系统，