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IRG4BC30FD1PBF 相关话题

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标题:Infineon(IR) IRG4BC30FD1PBF功率半导体IGBT的技术与应用介绍 Infineon(IR)的IRG4BC30FD1PBF功率半导体IGBT是一种高性能的功率电子器件,具有出色的性能和广泛的应用领域。本文将介绍该器件的技术特点和方案应用。 一、技术特点 IRG4BC30FD1PBF IGBT采用了Infineon(IR)独特的技术,包括31A的I(C)电流和600V的V(BR)CES电压。这种器件具有高饱和电压、低导通电阻和快速开关性能,使其在各种电力转换和驱动应用
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