欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IOR(国际整流器IR)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IGBT

IGBT 相关话题

TOPIC

标题:Infineon品牌IKB30N65ES5ATMA1半导体IGBT TRENCH/FS 650V 62A D2PAK技术详解及应用方案 一、技术详解 Infineon品牌IKB30N65ES5ATMA1半导体IGBT是TRENCH/FS系列的650V 62A D2PAK规格产品,具有高效、节能、耐高温等特点。该器件采用先进的沟槽技术,降低了导通电阻,从而提高了开关速度,降低了功耗。同时,其栅极驱动器兼容,易于集成到现有系统中。 二、应用方案 1. 电源系统:IKB30N65ES5ATMA
标题:Infineon品牌IGB50N65H5ATMA1半导体IGBT PRODUCTS的技术与方案介绍 随着科技的飞速发展,半导体技术也在不断创新和进步。Infineon作为全球知名的半导体制造商,其IGB50N65H5ATMA1半导体IGBT系列产品在电力电子领域中发挥着重要的作用。本文将详细介绍Infineon品牌IGB50N65H5ATMA1半导体IGBT的产品技术及方案。 首先,Infineon IGB50N65H5ATMA1半导体IGBT采用先进的制造工艺,具有高耐压、大电流、高频
一、概述 Infineon英飞凌DF120R12W2H3B27BOMA1模块是一款高性能的IGBT模块,其工作电压高达1200V,电流容量为50A,最大输出功率为180W。这款模块广泛应用于各种需要高效、安全、可靠电能转换的领域,如电力电子、电机驱动、变频器等。 二、参数详解 1. 工作电压:1200V。这意味着该模块可以在高达1200V的工作电压下正常工作,具有良好的耐压性能。 2. 最大电流:50A。这意味着该模块可以在最大50A的电流下正常工作,具有较高的电流容量。 3. 最大输出功率:
标题:Infineon品牌IKW50N65EH5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3技术详解与方案介绍 一、技术详解 Infineon品牌IKW50N65EH5XKSA1是一款高性能的半导体IGBT,采用TO247-3封装,具有650V 80A的额定参数。该器件采用Infineon自主研发的最新技术,具有高效率、高可靠性、低损耗等特点。 该器件的工作频率高达15KHz,适用于各种高频开关应用场景,如逆变器、变频器、电机驱动等。其栅极驱动电压范围为20V-10
IGBT晶体管,英文全称是「InsulatedGateBipolarTransistor」,中文名叫「绝缘栅双极晶体管」,下面由电子元器件代理商来说一下IGBT是什么。 IGBT晶体管是半导体器件的一种,主要被用于电动汽车、铁路机车及动车组的交流电电动机的输出控制等领域。 IGBT晶体管是由BJT(双极型晶体或双极性晶体管,俗称三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管,也叫IGFET,InsulatedGateFieldEffectTransister)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
标题:Infineon品牌IKWH60N65WR6XKSA1半导体IGBT TRENCH的技术与方案介绍 Infineon品牌IKWH60N65WR6XKSA1半导体IGBT TRENCH是一种高性能的功率半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。该器件采用了一种独特的TRENCH技术,具有较高的开关速度和较低的导通电阻,能够实现更高的能源效率。 该器件采用TRENCH技术,将IGBT芯片嵌入到硅通孔(TSV)中,从而提高了芯片的集成度,减少了组件之间的电气干扰。这种技术还增强了器件的机械稳定性,
Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB54BPSA2模块IGBT MOD 650V 40A 20MW参数及方案应用详解 一、简介 Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB54BPSA2模块是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于各种电力电子应用。该模块具有650V的电压耐压和40A的额定电流,以及高达20MW的额定功率。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 二、参数解析 1. 电压耐压:650V:该参数表示模块能够承受的最大直流电压。在应用中,应确保
Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA2模块IGBT MOD 650V 40A 20MW参数及方案应用详解 一、简介 Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA2模块是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于各种电力电子应用。其具有650V的电压耐压和40A的额定电流,以及高达20MW的输出功率,使其在工业和消费电子设备中发挥着重要的作用。 二、参数详解 1. 电压耐压:650V,这意味着该模块可以在650V的电压下正常工作,具有较
标题:Infineon品牌IKQ50N120CT2XKSA1半导体IGBT 1200V 100A TO247-3-46的技术与方案介绍 Infineon品牌IKQ50N120CT2XKSA1是一款出色的半导体IGBT,其特点为1200V、100A的输出规格,采用TO247-3-46封装。这款IGBT在许多领域具有广泛的应用前景,特别是在电力转换和输配电领域。 技术特点: 1. 先进的IGBT结构,提高了开关速度和效率,降低了损耗。 2. 耐压高达1200V,使得该器件能够承受更高的电压,满足各
标题:Infineon品牌IKW75N65ES5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3技术详解与方案介绍 随着电子技术的飞速发展,半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon公司推出的IKW75N65ES5XKSA1半导体IGBT,以其独特的TRENCH 650V技术,实现了高效率、高可靠性以及低功耗的特性,为各类电子设备提供了强大的技术支持。 IKW75N65ES5XKSA1采用TO247-3封装,具有650V 650mA的额定值,实际可达到的电流