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Infineon英飞凌FS75R12N2T7B15BPSA2模块:低功耗经济型方案及其参数 随着科技的进步,电子设备对电源效率的要求越来越高。Infineon英飞凌的FS75R12N2T7B15BPSA2模块,以其低功耗特性,成为了众多应用场景中的理想选择。本文将详细介绍该模块的参数以及方案应用。 一、模块参数 1. 核心特点:FS75R12N2T7B15BPSA2模块的主要特点是低功耗,这使其在需要长时间运行或电池供电的设备中具有显著优势。此外,该模块还具有高速数据传输和宽工作电压范围等特性
标题:Infineon(IR) AUIRGF66524D0-IR功率半导体IGBT的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR) AUIRGF66524D0-IR功率半导体IGBT作为一种重要的功率电子器件,在电力电子领域发挥着至关重要的作用。本文将详细介绍Infineon(IR) AUIRGF66524D0-IR IGBT的技术特点、方案应用以及未来发展趋势。 一、技术特点 Infineon(IR) AUIRGF66524D0-I
Infineon英飞凌FF400R07KE4HOSA1模块IGBT MODULE 650V 1250W参数及方案应用详解 随着电力电子技术的不断发展,IGBT模块在各种领域中的应用越来越广泛。今天,我们将为大家详细介绍一款Infineon英飞凌的FF400R07KE4HOSA1模块IGBT MODULE,这款产品具有650V 1250W的强大性能,适用于各种工业和家用电器设备的电源转换和控制。 一、参数介绍 FF400R07KE4HOSA1模块IGBT MODULE是一款高性能的650V IG
标题:Infineon(IR) IRGP4266-EPBF功率半导体IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D技术及应用介绍 随着科技的不断进步,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR) IRGP4266-EPBF是一款高性能的功率半导体IGBT,其独特的ULTRAFAST SOFT RECOVERY D技术为其在各种应用场景中提供了出色的性能。 首先,IRGP4266-EPBF的IGBT模块采用了Infineon独特的ULTRAFAST
标题:Infineon(IR) IHW30N110R3FKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 Infineon(IR)的IHW30N110R3FKSA1功率半导体IGBT是一款具有TRENCH 1100V 60A TO247-3规格的器件。这款器件以其卓越的性能和可靠性,在电力转换和控制系统中发挥着至关重要的作用。 二、关键特性 1. 高输入电压:该器件可在高达1100V的电压下工作,这意味着在需要大量电力的应用中,如电动汽车和风力发电等领域,它可以提供高效的电能转换。 2.