芯片产品
热点资讯
- Infineon(IR) IGW15N120H3FKSA1功率半导体IGBT 1200V 30A 217W TO247-3的技术和方案应用介绍
- Infineon(IR) IKW75N65SS5XKSA1功率半导体INDUSTRY 14的技术和方案应用介绍
- Infineon(IR) IKWH40N65WR6XKSA1功率半导体IGBT TRENCH的技术和方案应用介绍
- Infineon(IR) AUIRGR4045D功率半导体IGBT, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N的技术和方案应用介绍
- Infineon(IR) IHW15N120R3FKSA1功率半导体IGBT 1200V 30A 254W TO247-3的技术和方案应用介绍
- Infineon(IR) IGW100N60H3FKSA1功率半导体IGBT 600V 140A TO247-3的技术和方案应用介绍
- Infineon(IR) IKY75N120CH7XKSA1功率半导体INDUSTRY 14的技术和方案应用介绍
- Infineon(IR) AIMDQ75R040M1HXUMA1功率半导体AUTOMOTIVE_SICMOS的技术和方案应用介绍
- Infineon(IR) IKW75N60TFKSA1功率半
- Xilinx XC95288XL-7CSG280I
-
04
2025-03
Infineon(IR) IRGP4262DPBF功率半导体IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D的技术和方案应用介绍
标题：Infineon(IR) IRGP4262DPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IRGP4262DPBF功率半导体IGBT，以其独特的技术和方案，在电力转换和控制系统中发挥着重要作用。 IRGP4262DPBF是一款高性能的IGBT模块，它集成了超快速、软恢复二极管和MOSFET技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其超快的开关速度和优异的热稳定性，使其在各种恶劣的工作条件下都能保持高效稳
-
03
2025-03
Infineon(IR) IRG8P15N120KDPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍
标题：Infineon(IR) IRG8P15N120KDPBF功率半导体IGBT的技术与方案应用介绍 随着科技的发展，电力电子设备在各个领域的应用越来越广泛。功率半导体IGBT作为一种重要的电力电子器件，在现代工业和日常生活中发挥着越来越重要的作用。Infineon(IR)的IRG8P15N120KDPBF功率半导体IGBT便是其中的佼佼者。本文将围绕该器件的技术特点和方案应用进行介绍。 一、技术特点 IRG8P15N120KDPBF IGBT采用了Infineon(IR)独特的第八代沟槽栅
-
02
2025-03
Infineon(IR) IRGP4740D-EPBF功率半导体IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D的技术和方案应用介绍
标题：Infineon(IR) IRGP4740D-EPBF功率半导体IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子设备在各个领域的应用越来越广泛。在这个过程中，功率半导体IGBT起着至关重要的作用。Infineon(IR)的IRGP4740D-EPBF是一款高性能的IGBT，其采用ULTRAFAST SOFT RECOVERY D技术，具有卓越的性能和广泛的应用前景。 首先，让我们了解一下什么是ULTRAFAST SOFT
-
01
2025-03
Infineon(IR) IRGP4069-EPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍
标题：Infineon(IR) IRGP4069-EPBF功率半导体IGBT的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术在现代工业、交通、医疗等领域的应用越来越广泛。作为电力转换的核心元件，功率半导体IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）在各种设备中发挥着至关重要的作用。Infineon(IR) IRGP4069-EPBF是一款高性能的IGBT，以其出色的性能和可靠性，广泛应用于各种领域。 首先，IRGP4069-EPBF采用了先进的沟槽技术，
-
28
2025-02
Infineon(IR) IKB15N65EH5ATMA1功率半导体INDUSTRY 14的技术和方案应用介绍
标题：Infineon(IR) IKB15N65EH5ATMA1功率半导体器件在工业14领域的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在工业领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKB15N65EH5ATMA1功率半导体器件以其卓越的性能和可靠性，在工业14领域发挥着越来越重要的作用。本文将详细介绍该器件的技术特点和方案应用。 一、技术特点 IKB15N65EH5ATMA1是一款N-MOS场效应晶体管，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其核心优势在于采用了Infineo
-
27
2025-02
Infineon(IR) IRGS4640DPBF功率半导体IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D的技术和方案应用介绍
标题：Infineon(IR) IRGS4640DPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR) IRGS4640DPBF功率半导体IGBT作为一种重要的功率电子器件，在各种工业、交通和电力系统中发挥着至关重要的作用。本文将重点介绍Infineon(IR) IRGS4640DPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用。 首先，我们来看看Infineon(IR) IRGS4640DPBF功率半导体IGBT的
-
26
2025-02
Infineon(IR) IRG7PG35UPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍
标题：Infineon(IR) IRG7PG35UPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IRG7PG35UPBF功率半导体IGBT是一种重要的电子器件，其在各种电子设备中发挥着关键作用。本文将深入探讨IRG7PG35UPBF IGBT的技术特点和方案应用。 首先，IRG7PG35UPBF IGBT采用了先进的工艺技术，具有高耐压、大电流、频率响应快、温度稳定性高等优点。其内部结构包括P型区、N型区以及上下两个电极。通过控制电流通过的尺寸，可以实现高效率、高功率
-
25
2025-02
Infineon(IR) IRGSL4062DPBF功率半导体IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D的技术和方案应用介绍
标题：Infineon(IR) IRGSL4062DPBF功率半导体IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IRGSL4062DPBF功率半导体IGBT，以其独特的ULTRAFAST SOFT RECOVERY D技术，成为了这一领域的佼佼者。 IRGSL4062DPBF是一款高性能的IGBT，具有卓越的电气性能和可靠性。其独特的ULTRAFAST SOFT R
-
21
2025-02
Infineon(IR) IRG8P08N120KD-EPBF功率半导体IRG8P08N120 - DISCRETE IGBT WITH的技术和方案应用介绍
标题：Infineon(IR) IRG8P08N120KD-EPBF功率半导体IRG8P08N120 - DISCRETE IGBT WITH的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR) IRG8P08N120KD-EPBF是一款具有高效率、高可靠性和高功率密度等优点的功率半导体器件。其DISCRETE IGBT WITH的设计方案，更是为电力电子系统提供了强大的技术支持。 IRG8P08N120是一款IGBT（绝缘栅双极型晶体
-
20
2025-02
Infineon(IR) IRGS15B60KDTRRP功率半导体IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D的技术和方案应用介绍
标题：Infineon(IR) IRGS15B60KDTRRP功率半导体IGBT及其应用技术方案介绍 Infineon(IR)的IRGS15B60KDTRRP功率半导体IGBT是一种具有独特特性的电子器件，以其高效率、高可靠性以及低能耗等优点在电力转换领域中发挥着重要作用。这款IGBT采用了UltraFast、SoftRecovery D技术，使得其在开关过程中具有极高的瞬态响应速度和优异的热稳定性。 首先，我们来了解一下UltraFast、SoftRecovery D技术。该技术通过优化IG
-
19
2025-02
Infineon(IR) IRG7PH35UPBF功率半导体IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D的技术和方案应用介绍
标题：Infineon(IR) IRG7PH35UPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IRG7PH35UPBF是一种高性能的功率半导体IGBT，其独特的ULTRAFAST SOFT RECOVERY D技术使其在各种应用中表现出色。 首先，IRG7PH35UPBF的特性使其在各种恶劣环境下仍能保持稳定的性能。其快速软恢复特性使得它在开关过程中具有更高的效率，更低的损耗，以及更少的热量产生。这使得该器件在需要高功率转换和快速响应的应用中具有显著的优势。 其次，
-
18
2025-02
Infineon(IR) IKB20N60H3ATMA1功率半导体IGBT 600V 40A 170W TO263-3的技术和方案应用介绍
标题：Infineon(IR) IKB20N60H3ATMA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IKB20N60H3ATMA1是一款高性能的功率半导体IGBT，其特点包括600V的电压，40A的电流，以及高达170W的功率。这款器件采用TO263-3封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，使其在各种电子设备中具有广泛的应用前景。 首先，IKB20N60H3ATMA1 IGBT的制造技术非常先进。它采用先进的半导体工艺，包括掺杂、薄膜生长、切割、划片、封装等步骤，确保