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标题:Samsung品牌CL05A225MQ5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER的技术和应用介绍 一、简述技术 Samsung品牌CL05A225MQ5NNNC是一种贴片陶瓷电容,其核心技术在于使用了陶瓷作为介质,以金属作为电极,再经过烧结、涂层等工艺流程制作而成。这种电容具有稳定性高、耐高温、绝缘性好、高频性能强等优点,广泛应用在各类电子设备中。 二、规格参数 该电容的规格参数包括:容量为2.2UF,电压为6.3V,类型为X5R,以及封装形式为0402。这些参数决定了其在特定电路中的应用,如
标题:三星品牌CL10B104KB8NNWC贴片陶瓷电容CAP CER 0.1UF 50V X7R 0603的技术与应用介绍 一、简述产品 三星品牌CL10B104KB8NNWC是一款贴片陶瓷电容,其主要应用于电子设备的滤波、旁路、储能等环节。该电容采用的是陶瓷作为介质,内部填充了特定的电解质,这种特殊的材料使得它具有高介电常数、耐高温、耐腐蚀、电气性能稳定等优点。 二、技术特点 这款电容采用的是X7R介电材料,具有极低的电导率,从而可以减少电容的充放电时间,提高电路的工作效率。同时,它还具有
标题:Samsung品牌CL05A105KQ5NNNC贴片陶瓷电容的应用与技术方案介绍 一、简述产品 Samsung品牌CL05A105KQ5NNNC是一款贴片陶瓷电容,其型号规格为CAP CER 1UF 6.3V X5R 0402。这款电容以其卓越的性能和稳定的品质,广泛应用于各类电子设备中。 二、技术特点 这款电容采用陶瓷作为介质,具有高稳定性、耐高温、绝缘性能好等特点。其工作电压为6.3V,容量为1UF,额定温度为X5R,封装形式为0402。这些参数确保了其在各种恶劣环境下都能保持良好的
标题:三星CL05B104KP5NNNC贴片陶瓷电容:0.1微法,10伏,X7R材料的技术和应用介绍 一、技术背景 三星品牌CL05B104KP5NNNC是一种典型的贴片陶瓷电容,其在电路中扮演着重要的角色。陶瓷电容因其特殊的电介质和结构,使其在高频、大信号等复杂环境中表现优异。CL05B104KP5NNNC这种型号的电容,以其出色的性能和可靠性,广泛应用于各类电子产品中。 二、特性与参数 CL05B104KP5NNNC贴片陶瓷电容的主要特性包括:容量为0.1微法,工作电压为10伏,以及使用X
标题:三星品牌CL05B103KB5NNNC贴片陶瓷电容的应用介绍 一、产品概述 三星品牌CL05B103KB5NNNC是一款高品质的贴片陶瓷电容,其容量为10000PF,工作电压为50V,介质类型为X7R。这种电容广泛应用于各种电子产品中,特别是在高精密、高稳定性的应用领域,如通讯设备、工业控制、医疗设备等。 二、技术特点 CL05B103KB5NNNC电容采用了先进的陶瓷材料和高品质的金属化工艺,具有低ESR、高绝缘性能和良好的温度特性。此外,其表面安装技术使得它在电路中的体积小,有助于提
标题:三星品牌CL03A104KQ3NNNC贴片陶瓷电容的应用介绍 一、背景概述 三星品牌CL03A104KQ3NNNC是一款采用X5R材料,适用于高可靠电路板的0.1UF 6.3V 0201封装贴片陶瓷电容。该电容在各种电子产品中具有广泛的应用。随着电子设备的复杂性和对可靠性要求的提高,这种电容的使用量也在不断增加。 二、技术特点 这种电容的特点在于其采用X5R材料,具有出色的温度特性,能在宽广的温度范围内保持稳定的电容值和极低的介质损耗。其低ESR(等效串联电阻)使得该电容在电路中的发热量
标题:Samsung品牌CL05A104KP5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 0.1UF 10V X5R 0402的技术与应用介绍 随着电子技术的不断发展,陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。Samsung品牌CL05A104KP5NNNC贴片陶瓷电容,以其卓越的性能和稳定的品质,成为众多电子设备中的重要组成部分。本文将围绕该电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 Samsung品牌CL05A104KP5NNNC贴片陶瓷电容,采用先进的陶瓷材料和制造工艺,具有高介电常数、
标题:Samsung品牌CL05A104KA5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER应用介绍 一、产品概述 Samsung品牌CL05A104KA5NNNC是一款优质的贴片陶瓷电容,它采用了高品质的陶瓷材料作为电容器芯子,再配以特定的电极材料制作而成。这种电容在电路中起着关键的电气连续性存储功能,对于电路的稳定运行至关重要。 二、技术特点 1. 材质:采用高质量的陶瓷材料,具有高介电常数和高耐压性,能够承受较高的工作电压。 2. 电极材料:电极采用具有高导电性能的材料,能够保证电容量的一致性和稳定
1月6日,据业内消息,三星代工最近调整了2024年第1季度的定价策略,为客户提供5%-15%的折扣。这一举措被视为三星代工挖角台积电客户的低价策略。 为了吸引更多客户,三星代工正在通过积极谈判,寻求与高通、英伟达、AMD等知名半导体公司合作的机会。在2023年半导体行业低迷的背景下,韩国晶圆厂纷纷采取降价等措施以确保订单。成熟工艺的8英寸和12英寸晶圆的价格降幅达到了20-30%。尽管台积电在2023年也做了一些价格让步,但主要针对7nm工艺,且让步程度取决于客户订单的数量。面对三星代工的竞争
据报道,韩国三星代工厂已经开始试制其第二代 3 纳米级别工艺技术的芯片,称为 SF3。韩国知名权威新闻媒体《朝鲜日报》报道称,三星现已试产第二代 3 纳米工艺芯片 SF3。报道提到,三星预计在未来六个月内,该芯片的良率将超过 60%。 据《电子时报》报道,三星正在测试在 SF3 节点上制造的芯片的性能和可靠性。这是三星使用 SF3 工艺的首款芯片,预计将设计用于可穿戴设备。公司很可能会在三星 Galaxy Watch 7 和其他设备发布之际,正式推出这款芯片。 SF3 工艺是一种 3 纳米级技