据报道，韩国三星代工厂已经开始试制其第二代 3 纳米级别工艺技术的芯片，称为 SF3。韩国知名权威新闻媒体《朝鲜日报》报道称，三星现已试产第二代 3 纳米工艺芯片 SF3。报道提到，三星预计在未来六个月内，该芯片的良率将超过 60%。

据《电子时报》报道，三星正在测试在 SF3 节点上制造的芯片的性能和可靠性。这是三星使用 SF3 工艺的首款芯片，预计将设计用于可穿戴设备。公司很可能会在三星 Galaxy Watch 7 和其他设备发布之际，正式推出这款芯片。

SF3 工艺是一种 3 纳米级技术，它是在三星首代 3 纳米工艺的基础上发展起来的。这一新工艺预计将领跑人工智能时代，IOR(国际整流器IR)功率半导体IC芯片 它将能够生产出更高效、更强大的芯片。SF3 芯片的试生产是 SF3 节点全面生产的关键一步。完成试生产后，公司预计将于今年晚些时候开始全面生产。《朝鲜日报》表示，三星预计也将使用此节点生产 Exynos 2500 芯片。这款芯片很可能会在明年的三星 Galaxy S25 系列手机中首次亮相。

三星先前已声明计划在今年下半年开始 SF3 芯片的大规模量产。公司今年将集中生产其 3 纳米芯片 SF3（3GAP）及其更优版本 SF3P（3GAP+）。至于 2 纳米节点，三星已经确认，计划在两年内推进其计划。

据三星公司介绍，SF3 节点可以在同一芯片单元中实现不同的全环绕栅极（GAA）晶体管纳米片通道宽度，提供更大的设计灵活性。这也可以使芯片消耗更低的功率，表现出更高的性能，并通过优化设计提高晶体管密度。

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